使有更好的機械性能與穩定性、良好的光學和電子性能，混合結構無機核心的使用是有希望的。在籠型倍半硅氧烷（POSS）的通式（RSiO / 2）n中，R是一個有機的群體，已被用于有機發光二極管（OLED），這表明穩定性的提高，甚至電致發光性能的增強。有機組件的退化機制尚未充分理解，但缺陷在光POE內飾片材擠出機_ POE內飾片材設備_學設備和電學特性中發揮了關鍵的作用。為了提高這些材料的穩定性，缺陷的資料的使用也是非常重要的。不同的技術，如電流電壓（I-V）的特點，阻抗譜，熱刺激電流，或深能級瞬態譜（DLTS）的分析已被用來確定有機材料的缺陷參數在這項研究中，我們研究了由聚（2,3-二苯基-1，4-苯乙烯）（DP- PPV）和籠POE內飾片材擠出機_ POE內飾片材設備_型倍半硅氧烷的無機核心（POSS-DP-PPV）組成的發光二極管作為混合發光材料，我們已經調查了設備的缺陷態，并通過深能級瞬態譜或Q-DLTS用雜化材料作為發射極。這種技術不同于傳統的深能級瞬態譜用電荷變化代替電容變化的測量。在結果中，我們將討論

POSS-DP-PPV的分子結構

雙層裝置是制備鈣（Ca）陰極和銦錫氧化物（ITO）陽極之間的夾層結構。50納米厚的孔注入層聚（乙撐）摻雜聚（苯乙烯）是旋涂在銦錫氧化物頂端7毫克/毫升分散的水中并在150℃的真空中干燥1小時。POSS-DP-PPV（200 nm）的薄膜是旋涂在甲苯溶液的PEDOT:PSS層并在50℃下干燥。后，35納米鈣和100納米鋁電極通過使用熱蒸發AUTO 306真空鍍膜機POE內飾片材擠出機_ POE內飾片材設備_在聚合物膜陰極形成沉淀。蒸發通常在基礎壓力低于 毫巴下進行。二極管電流電壓的特性使用Keithley 2400源表測量。深能級瞬態譜的測量是使用自動化POE內飾片材擠出機_ POE內飾片材設備_系統完成的，ASMEC-06由InOmTech公司提供并在以前的研究中描述過。為了確定缺陷能級，得到的光譜在220K-320K溫度范圍內變化。所有的測量在真空和黑暗環境中進行。